NTMFS4C05NT3G
1个N沟道 耐压:30V 电流:78A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4C05NT3G
- 商品编号
- C893848
- 商品封装
- SO-8-FL-5.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.972nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电或负载切换而设计。它采用了具有低导通电阻的MOSFET以及用于防静电放电（ESD）的齐纳二极管保护。MicroFET 1.6x1.6 Thin封装在其物理尺寸下具有出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准
应用领域
- CPU电源供应
- DC-DC转换器
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