NTMFS4936NT3G
1个N沟道 耐压:30V 电流:79A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4936NT3G
- 商品编号
- C893830
- 商品封装
- SO-8-FL-5.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 79A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.044nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容，可将驱动损耗降至最低
- 这些器件无铅且符合RoHS标准