温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDME820NZT
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 rDS(ON) @ VGS = 1.8 V。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDME820NZT
- 商品编号
- C895385
- 商品封装
- MicroFET(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单