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FDME820NZT
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
- 描述
- 此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 rDS(ON) @ VGS = 1.8 V。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDME820NZT
- 商品编号
- C895385
- 商品封装
- MicroFET(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、ID = 9 A时,最大rDS(on) = 18 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、ID = 7.5 A时,最大rDS(on) = 24 mΩ
- 在VGS = 1.8 V、ID = 7 A时,最大rDS(on) = 32 mΩ
- 低外形:新型MicroFET 1.6x1.6 Thin封装最大高度为0.55 mm
- 不含卤化物和氧化锑
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >2.5 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组
- 基带开关
- 负载开关
- DC-DC转换