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FDZ661PZ实物图
  • FDZ661PZ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDZ661PZ

1个P沟道 耐压:20V 电流:2.6A

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描述
FDZ661PZ采用仙童(Fairchild)先进的1.5 V PowerTrench®工艺设计,并结合了先进的“细间距”超薄晶圆级芯片尺寸封装(Thin WLCSP)工艺,可最大程度减少印刷电路板(PCB)占用空间并降低导通电阻rDS(on)。这款先进的晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)MOSFET代表了封装技术的一项突破,使该器件兼具出色的热传导特性和超薄外形(0
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDZ661PZ
商品编号
C895389
商品封装
WLCSP-4(0.8X0.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.6A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@4.5V,2A
耗散功率(Pd)1.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)8.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)555pF@10V
反向传输电容(Crss)70pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

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