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FDZ661PZ
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.6A
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- 描述
- FDZ661PZ采用仙童（Fairchild）先进的1.5 V PowerTrench®工艺设计，并结合了先进的“细间距”超薄晶圆级芯片尺寸封装（Thin WLCSP）工艺，可最大程度减少印刷电路板（PCB）占用空间并降低导通电阻rDS(on)。这款先进的晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）MOSFET代表了封装技术的一项突破，使该器件兼具出色的热传导特性和超薄外形（0
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ661PZ
- 商品编号
- C895389
- 商品封装
- WLCSP-4(0.8X0.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 555pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -2 A时,最大rDS(on) = 140 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -1.5 A时,最大rDS(on) = 182 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -1 A时,最大rDS(on) = 231 mΩ
- 在VGS = -1.5 V、ID = -1 A时,最大rDS(on) = 315 mΩ
- 占用0.64 mm2的PCB面积,不到2 x 2 BGA面积的16%
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.4 mm
- HBM ESD保护等级 >2 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护