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FDZ1416NZ
2个N沟道 耐压:24V 电流:7A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ1416NZ
- 商品编号
- C895387
- 商品封装
- WLCSP(1.4X1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、IS1S2 = 1 A时,最大S1-S2导通电阻(rS1S2(on))为23 mΩ
- 在VGS = 4 V、IS1S2 = 1 A时,最大S1-S2导通电阻(rS1S2(on))为25 mΩ
- 在VGS = 3.1 V、IS1S2 = 1 A时,最大S1-S2导通电阻(rS1S2(on))为28 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、IS1S2 = 1 A时,最大S1-S2导通电阻(rS1S2(on))为33 mΩ
- 仅占用2.2 mm2的PCB面积
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.35 mm
- 高功率和电流处理能力
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >3.2 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护