FDZ1905PZ
2个P沟道
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ1905PZ
- 商品编号
- C895388
- 商品封装
- WLCSP-6(1.5x1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 126mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品概述
该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计,采用单封装解决方案。它具备两个共漏极P沟道MOSFET,支持双向电流流动,可最大程度减小PCB空间和rS1S2(导通)电阻。这款先进的WL - CSP MOSFET在封装技术上取得了突破,使器件兼具出色的热传导特性、超薄封装、低栅极电荷和低rS1S2(导通)电阻。
商品特性
- 在VGS = -4.5V、IS1S2 = -1A时,最大rS1S2(导通)电阻 = 126mΩ
- 在VGS = -2.5V、IS1S2 = -1A时,最大rS1S2(导通)电阻 = 141mΩ
- 在VGS = -1.8V、IS1S2 = -1A时,最大rS1S2(导通)电阻 = 198mΩ
- 在VGS = -1.5V、IS1S2 = -1A时,最大rS1S2(导通)电阻 = 303mΩ
- 占用1.5mm2的PCB面积,不足2 x 2 BGA面积的50%
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.65mm
- 高功率和电流处理能力
- HBM ESD保护等级 > 4kV
- 符合RoHS标准
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护