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NVF5P03T3G
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.2A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVF5P03T3G
- 商品编号
- C895162
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 1.0 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 3.4 Ω（最大值）
- 低栅极电荷（典型值4.5 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值3.7 pF）
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-LCD/LED电视-照明-不间断电源