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EFC4C012NLTDG
2个N沟道 耐压:30V 电流:19A
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- 描述
- 此 N 沟道功率 MOSFET 使用安森美半导体的沟槽技术生产，这是专为最大程度减小门极电荷、实现超低导通电阻而设计的技术。此器件适用于笔记本电脑应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- EFC4C012NLTDG
- 商品编号
- C895363
- 商品封装
- WLCSP-6(1.9x3.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.088克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
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