温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
EFC4C002NLTDG
2个N沟道 耐压:30V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道功率 MOSFET 是使用安森美半导体的沟槽技术生产的，专门用于最大程度减小门极电荷，实现超低导通电阻。此器件适用于无人机或笔记本电脑应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- EFC4C002NLTDG
- 商品编号
- C895362
- 商品封装
- WLCSP-8(2.5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别定制，可最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压等级。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 6.6 A时，最大rDS(on) = 28 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 5.5 A时，最大rDS(on) = 38 mΩ
- 人体模型（HBM）ESD保护等级典型值>6 kV
- 与同类沟槽技术相比，Qg和Qgd极低
- 开关速度快
- 经过100% UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换
- 逆变器
- 同步整流器