FDME1023PZT
2个P沟道 耐压:20V 电流:2.6A
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- 描述
- 此器件专门设计为手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装解决方案。它具有两个独立的 P 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。在典型的共源配置中连接时，可以实现双向电流流动。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDME1023PZT
- 商品编号
- C895384
- 商品封装
- MicroFET(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VGS = -4.5 V、ID = -2.3 A时,最大rDS(on) = 142 mΩ
- VGS = -2.5 V、ID = -1.8 A时,最大rDS(on) = 213 mΩ
- VGS = -1.8 V、ID = -1.5 A时,最大rDS(on) = 331 mΩ
- VGS = -1.5 V、ID = -1.2 A时,最大rDS(on) = 530 mΩ
- 低外形:新型MicroFET 1.6x1.6 Thin封装最大高度为0.55 mm
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >1600 V
- 符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-电池充电-电池断开开关