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IRLM220ATF
1个N沟道 耐压:200V 电流:1.13A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRLM220ATF
- 商品编号
- C894847
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 坚固栅氧化层技术
- 更低的输入电容
- 优化的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流:在VDS = 200V时为10 μA(最大值)
- 更低的RDS(ON):0.609 Ω(典型值)