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NDT014
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.7A
- 描述
- 功率 SOT N 沟道增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供卓越的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDT014
- 商品编号
- C895067
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 155pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 2.7A、60V,VGS = 10V时,RDS(ON) = 0.2Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正（PFC）
- 电子灯镇流器