温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NDT014
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.7A
- 描述
- 功率 SOT N 沟道增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供卓越的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDT014
- 商品编号
- C895067
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,1.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 155pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 4000 个)个
起订量：4000 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单