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NTZD3155CT2G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:540mA
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- 描述
- 特性：领先的沟槽技术，实现低RDS(on)性能。高效的系统性能。低阈值电压。静电放电保护栅极。小尺寸：1.6×1.6mm。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC转换电路。带电平转换的负载/电源开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTZD3155CT2G
- 商品编号
- C895156
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V,540mA | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Power SOT N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和DC/DC转换，这些应用需要快速开关、低线路功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- 2.7A、60V，VGS = 10V时，RDS(ON) = 0.2Ω
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力