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NVF3055L108T3G
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 汽车功率 MOSFET，60V，3A，120 mΩ，单 N 沟道，SOT-223，逻辑电平。适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVF3055L108T3G
- 商品编号
- C895161
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺针对导通电阻（rDS(on)）、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 2 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 236 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 1.7 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 329 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻（rDS(on)）
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 开关速度快
- 100%通过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 主开关