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NSBA114EDXV6T1G
NSBA114EDXV6T1G
- 描述
- 此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSBA114EDXV6T1G
- 商品编号
- C895086
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 357mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 35@5mA,10V | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 28000 个)个
起订量：28000 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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