LC05132C01MTTTG
LC05132C01MTTTG
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- LC05132C01MTTTG
- 商品编号
- C894864
- 商品封装
- WDFN-6-EP(2.6x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电池管理 | |
| 芯片类型 | - | |
| 工作电压 | 2.6V~4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 充电饱和电压 | 4.5V | |
| 放电截止电压 | 2.2V |
商品概述
LC05132C01MT是一款用于单节锂离子二次电池的保护IC,集成了功率MOS FET。此外,它还集成了高精度检测电路和检测延迟电路,以防止电池过充电、过放电、过电流放电和过电流充电。 此外,主系统可以通过复位信号,在一段时间内关闭LC05132C01MT的充电FET和放电FET,来执行自身的上电复位。 仅需LC05132C01MT和少量外部元件即可构成电池保护系统。
商品特性
- 在Ta = 25°C、VCC = 4.5V条件下,集成充放电功率MOSFET,导通电阻(充放电总和)为11.2mΩ(典型值)
- 在Ta = 25°C、VCC = 3.7V条件下,具有高精度检测电压/电流:过充电检测±25mV;过放电检测±50mV;充电过电流检测±0.63A;放电过电流检测±0.63A
- 检测和释放延迟时间(内部固定)
- 对功率FET的温度依赖性进行充/放电过电流检测补偿
- 0V电池充电:“禁止”
- 自动唤醒功能电池充电:“禁止”
- 过充电检测电压:4.0V至4.525V(5mV步进)
- 过充电释放滞后:0V至0.3V(100mV步进)
- 过放电检测电压:2.2V至2.8V(50mV步进)
- 过放电释放滞后:0V至0.075V(25mV步进)
- 强制充电FET和放电FET关断模式
- RSTB > VDD * 0.8:充电FET和放电FET = 导通
- RSTB < VDD * 0.2:充电FET和放电FET = 关断
应用领域
- 智能手机
- 平板电脑
- 可穿戴设备
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个4000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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