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FDT86102LZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:6.6A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDT86102LZ
- 商品编号
- C894832
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,6.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.49nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特殊设计，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。增加了栅源（G-S）齐纳二极管，以提高静电放电（ESD）电压等级。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 3.2 A时，最大导通电阻rDS(on) = 108 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 2.7 A时，最大导通电阻rDS(on) = 153 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 采用广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和大电流处理能力
- 人体模型（HBM）静电放电保护等级典型值>3 KV
- 100%进行非箝位感性负载（UII）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换