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FDT86246L
1个N沟道 耐压:150V 电流:2A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDT86246L
- 商品编号
- C894836
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 228mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 2 A条件下,最大导通电阻rDS(on) = 228 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 1.8 A条件下,最大导通电阻rDS(on) = 280 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻rDS(on)
- 采用广泛使用的表面贴装封装,具备高功率和大电流处理能力
- 开关速度快
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-主开关-降压/升压开关