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FDT86106LZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.2A
- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDT86106LZ
- 商品编号
- C894833
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 2.5V驱动
- 内置保护二极管
- 符合无卤要求
- 共漏极类型
- 2KV人体模型静电放电防护
应用领域
- 锂离子电池充放电开关