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2N7002ET7G
1个N沟道 耐压:60V 电流:260mA
- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(on)）。 小尺寸表面贴装封装。 沟槽技术。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：低端负载开关。 电平转换电路
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N7002ET7G
- 商品编号
- C894768
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,240mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 810pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单