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2N7002ET7G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N7002ET7G

1个N沟道 耐压:60V 电流:260mA

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描述
特性:低导通电阻(RDS(on))。 小尺寸表面贴装封装。 沟槽技术。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准。应用:低端负载开关。 电平转换电路
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
2N7002ET7G
商品编号
C894768
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)260mA
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)810pC@5V
输入电容(Ciss)40pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))
  • 小尺寸表面贴装封装
  • 沟槽技术
  • 适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用的S前缀产品;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准

应用领域

  • 低端负载开关
  • 电平转换电路
  • 直流-直流转换器
  • 便携式应用,如数码相机(DSC)、个人数字助理(PDA)、手机等

数据手册PDF