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NVMYS014N06CLTWG实物图
  • NVMYS014N06CLTWG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMYS014N06CLTWG

1个N沟道 耐压:60V 电流:36A 电流:12A

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描述
适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMYS014N06CLTWG
商品编号
C894191
商品封装
LFPAK-4(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.196188克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)12A;36A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V,10A
属性参数值
耗散功率(Pd)37W;3.8W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)9.7nC@10V
输入电容(Ciss)620pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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