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NVMYS2D1N04CLTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:29A 电流:132A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMYS2D1N04CLTWG
- 商品编号
- C894196
- 商品封装
- LFPAK-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 132A；29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 83W；3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- LFPAK4封装，行业标准
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅，符合RoHS标准