SI3443DV
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI3443DV
- 商品编号
- C894315
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.079nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款 2.5V 指定的 P 沟道 MOSFET 采用仙童半导体公司先进的 PowerTrench 工艺制造,该工艺经过特别优化,可在保持低栅极电荷以实现卓越开关性能的同时,最大程度降低导通电阻。 这些器件专为在极小的占位面积内实现出色的功率耗散而设计,适用于无法使用更大封装的应用场景。
商品特性
- 在 VGS = -2.5V 时,RDS(ON) = 0.100Ω
- 4A、-20V。在 VGS = -4.5V 时,RDS(ON) = 0.065Ω
- 开关速度快
- 低栅极电荷(典型值为 7.2nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- SuperSOT - 6 封装:占位面积小(比标准 SO - 8 小 72%);厚度薄(1mm)
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理