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SMMBFJ309LT1G
SMMBFJ309LT1G
- 描述
- N-Channel JFET，适用于VHF/UHF放大器。具有互换的漏极和源极，S前缀适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用，AEC-Q101合格，无铅封装，符合RoHS标准。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SMMBFJ309LT1G
- 商品编号
- C894336
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 30mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |