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SMMBFJ309LT1G
SMMBFJ309LT1G
- 描述
- N-Channel JFET，适用于VHF/UHF放大器。具有互换的漏极和源极，S前缀适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用，AEC-Q101合格，无铅封装，符合RoHS标准。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SMMBFJ309LT1G
- 商品编号
- C894336
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V@1nA | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 输入电容(Ciss) | 5pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货79-81个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 15000 个)个
起订量：15000 个3000个/圆盘
总价金额：
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