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MMBFJ175LT3G
3V@10nA
- 描述
- 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBFJ175LT3G
- 商品编号
- C896766
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 3V@10nA | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 125Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 7mA@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 11pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货89-91个工作日购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 20000 个)个
起订量：20000 个10000个/圆盘
总价金额：
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