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NVMTS0D7N06CTXG
1个N沟道 耐压:60V 电流:60.5A 464A
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- 描述
- 特性：小尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 可焊侧翼电镀，便于光学检测。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMTS0D7N06CTXG
- 商品编号
- C894185
- 商品封装
- DFNW-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 464A；60.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 294.6W；5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 11.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 174pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.01nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,可降低驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 可焊侧翼镀覆,便于光学检测
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS指令要求
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