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NVMJS1D0N04CTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:300A 电流:46A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMJS1D0N04CTWG
- 商品编号
- C894173
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
汽车功率MOSFET，旨在最大限度地降低栅极电荷和导通电阻。该MOSFET符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，适用于汽车应用。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,可最大限度降低驱动损耗
- LFPAK8封装,符合行业标准
- 通过AEC-Q101认证,可提交生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关-电机驱动
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