温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMTS0D4N04CTXG
N沟道功率单MOSFET，小尺寸设计，低导通电阻和栅极电荷，采用Power 88封装，符合AEC - Q101标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用 8x8mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET，具有较高的热性能，适用于紧凑高效型设计。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMTS0D4N04CTXG
- 商品编号
- C894183
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436628克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 558A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 244W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 251nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 16.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.31nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以降低驱动损耗
- 采用行业标准的Power 88封装
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准
相似推荐
其他推荐
- NVMTS0D6N04CLTXG
- NVMTS0D7N06CTXG
- NVMTS1D2N08H
- NVMTS1D5N08H
- NVMTSC1D3N08M7TXG
- NVMYS010N04CLTWG
- NVMYS011N04CTWG
- NVMYS014N06CLTWG
- NVMYS021N06CLTWG
- NVMYS025N06CLTWG
- NVMYS1D2N04CLTWG
- NVMYS1D3N04CTWG
- NVMYS2D1N04CLTWG
- NVMYS2D2N06CLTWG
- NVMYS2D4N04CTWG
- NVMYS2D9N04CLTWG
- NVMYS3D3N06CLTWG
- NVMYS3D5N04CTWG
- NVMYS4D1N06CLTWG
- NVMYS5D3N04CTWG
- NVMYS7D3N04CLTWG