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NVMTS0D6N04CLTXG
1个N沟道 耐压:40V 电流:78.9A
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- 描述
- 特性：小尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。 低导通电阻，可降低传导损耗。 低栅极电荷和电容，可降低驱动损耗。 可焊侧翼电镀，便于光学检测。 通过AEC-101认证，可提供生产件批准程序文件。 无铅、无卤、符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMTS0D6N04CLTXG
- 商品编号
- C894184
- 商品封装
- DFNW-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 265nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.013nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 299pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单
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