温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMTS001N06CTXG
N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：小封装尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。 低导通电阻，可降低传导损耗。 低栅极电荷和电容，可降低驱动损耗。 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 可焊侧翼电镀，便于光学检测。 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMTS001N06CTXG
- 商品编号
- C894182
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 376A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.91mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 244W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.705nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 107pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.69nF |
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 可焊侧翼镀覆,便于光学检测
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
相似推荐
其他推荐
- NVMTS0D4N04CTXG
- NVMTS0D6N04CLTXG
- NVMTS0D7N06CTXG
- NVMTS1D2N08H
- NVMTS1D5N08H
- NVMTSC1D3N08M7TXG
- NVMYS010N04CLTWG
- NVMYS011N04CTWG
- NVMYS014N06CLTWG
- NVMYS021N06CLTWG
- NVMYS025N06CLTWG
- NVMYS1D2N04CLTWG
- NVMYS1D3N04CTWG
- NVMYS2D1N04CLTWG
- NVMYS2D2N06CLTWG
- NVMYS2D4N04CTWG
- NVMYS2D9N04CLTWG
- NVMYS3D3N06CLTWG
- NVMYS3D5N04CTWG
- NVMYS4D1N06CLTWG
- NVMYS5D3N04CTWG