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NVMJS1D4N06CLTWG
1个N沟道 耐压:60V 电流:39A 电流:262A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMJS1D4N06CLTWG
- 商品编号
- C894176
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 262A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.5nF |
商品概述
-40 V、10.4 mΩ、-77 A的P沟道汽车功率MOSFET，专为紧凑高效的设计而打造，具备高散热性能。该MOSFET通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件，适用于汽车应用。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
- LFPAK8封装,符合行业标准
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 反接电池保护-负载开关-汽车前照灯-汽车车身控制器
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