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NVMFSC0D9N04CL
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A 电流:316A
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- 描述
- 特性：先进的双面冷却封装。 小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。 超低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 这些器件无铅且符合RoHS标准。 MSL1坚固的封装设计
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFSC0D9N04CL
- 商品编号
- C894168
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 316A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.87mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W；166W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.4nF |
商品特性
- 先进的双面散热封装
- 超低导通电阻RDS(on)
- MSL1高可靠性封装设计
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 或门FET/负载开关
- 同步整流器
- DC-DC转换
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