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NVMJS0D8N04CLTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:56A 电流:368A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMJS0D8N04CLTWG
- 商品编号
- C894170
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 368A；56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.72mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 180W；4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 162nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.6nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了出色的开关性能。
商品特性
- 栅源电压为 -4.5 V、漏极电流为 -1.15 A 时，最大漏源导通电阻 = 108 mΩ
- 栅源电压为 -2.5 V、漏极电流为 -0.7 A 时，最大漏源导通电阻 = 121 mΩ
- 极低的漏源导通电阻；中压P沟道硅技术，针对低栅极电荷进行优化
- 本产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关
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