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NVLJD4007NZTBG引脚图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NVLJD4007NZTBG

NVLJD4007NZTBG

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVLJD4007NZTBG
商品编号
C894166
商品封装
UDFN-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)245mA
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@4.5V
耗散功率(Pd)755mW
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)750pC
输入电容(Ciss)12.2pF
反向传输电容(Crss)3.3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)10pF
栅极电压(Vgs)±10V

商品特性

  • 优化布局,实现出色的高速信号完整性
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 2 x 2 mm小尺寸封装
  • 栅极具备ESD保护
  • 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准

应用领域

  • 负载电源开关-锂离子电池供电设备-手机、媒体播放器、数码相机、个人数字助理(PDA)-DC-DC转换

数据手册PDF

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