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NVGS3130NT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVGS3130NT1G
- 商品编号
- C894162
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 935pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 104pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件非常适合用于电话机的高接口。
商品特性
- N沟道1.3A、60V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.55Ω
- VGS = 5V时，RDS(on) = 0.65Ω
- P沟道 -0.3A、-300V，VGS = -10V时，RDS(on) = 15.5Ω
- VGS = -5V时，RDS(on) = 16Ω
- 低栅极电荷（典型N沟道1.6nC）
- （典型P沟道3.6nC）
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
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