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NVGS3130NT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVGS3130NT1G
- 商品编号
- C894162
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 935pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 104pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件非常适合用于电话机的高接口。
商品特性
- 采用前沿沟槽技术,导通电阻低
- 栅极电荷低,开关速度快
- 采用小尺寸(3 x 2.75 mm)TSOP-6封装
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这是一款无铅器件
应用领域
-DC-DC转换器-锂离子电池应用-负载/电源开关
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