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NVJD4401NT1G
2个N沟道 耐压:20V 电流:0.63A
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- 描述
- 汽车功率 MOSFET。此双 N 沟道器件使用小占位封装 (2x2 mm) 和安森美半导体的领先平面工艺，可减小占位，提高能效。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVJD4401NT1G
- 商品编号
- C894164
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 630mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@2.5V,0.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 270mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 46pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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