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NTTFS5D9N08HTWG

1个N沟道耐压:80V 电流:84A

描述: 特性：最大导通电阻 (RDS(on))：在栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 23 A 时为 5.9 mΩ；在 VGS = 6 V、ID = 12 A 时为 9 mΩ。高性能技术，极低导通电阻 (RDS(on))。无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 降压转换器。负载点
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTTFS5D9N08HTWG
商品编号: C894102
商品封装: PQFN-8(3.3x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.52克(g)

商品参数

商品概述

UniFET™ MOSFET 是基于平面条纹和双极结型晶体管（DMOS）技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。

商品特性

在 VGS = 10 V、ID = 23 A 条件下,最大 RDS(on) = 5.9 m Ω
在 VGS = 6 V、ID = 12 A 条件下,最大 RDS(on) = 9 m Ω
采用高性能技术实现极低的 RDS(on)
这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准

应用领域

-DC-DC 降压转换器-负载点-高效负载开关和低端开关-或门 FET

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	80V
	连续漏极电流(Id)	84A
	导通电阻(RDS(on))	5.9mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	100W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	20nC@6V
	输入电容(Ciss)	2.04nF
	反向传输电容(Crss)	12pF
	工作温度	-55℃~+175℃