NVATS4A101PZT4G
NVATS4A101PZT4G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVATS4A101PZT4G
- 商品编号
- C894156
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 875pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
NVATS4A101PZ是一款功率MOSFET,专为小尺寸和高效率设计,可实现高散热性能。该MOSFET符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,适用于汽车应用。
商品特性
- 低导通电阻、高电流承载能力,100%经过雪崩测试
- 符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力
- ATPAK封装与DPAK(TO - 252)引脚兼容
- 无铅、无卤素,符合RoHS标准
应用领域
-反接电池保护-负载开关-汽车前照灯-汽车车身控制器
- NVC6S5A444NLZT1G
- NVC6S5A444NLZT2G
- NVGS3130NT1G
- NVJD4401NT1G
- NVJS4151PT1G
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- NVMJS1D0N04CTWG
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- NVMJS1D3N04CTWG
- NVMJS1D4N06CLTWG
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- NVC6S5A444NLZT1G
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