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NTTFS3D7N06HLTWG
单通道 N 沟道 MOSFET，60V，3.9mΩ，103A
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- 描述
- 特性：最大RDS(on) = 3.9 mΩ，VGS = 10 V，ID = 23 A。 最大RDS(on) = 5.2 mΩ，VGS = 4.5 V，ID = 18 A。 高性能技术，极低RDS(on)。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC降压转换器。 负载点
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS3D7N06HLTWG
- 商品编号
- C894101
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 103A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V；4.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.1nC@4.5V；32.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.383nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用安森美半导体的沟槽技术制造，该技术专门用于最小化栅极电荷和降低导通电阻。该器件适用于对栅极电荷驱动要求较低或对导通电阻要求较低的应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 23 A条件下,最大导通电阻RDS(on) = 3.9 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 18 A条件下,最大导通电阻RDS(on) = 5.2 mΩ
- 采用高性能技术实现极低导通电阻RDS(on)
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流降压转换器-负载点-高效负载开关和低端开关-或门场效应管
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