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NTTFS3D7N06HLTWG
单通道 N 沟道 MOSFET，60V，3.9mΩ，103A
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- 描述
- 特性：最大RDS(on) = 3.9 mΩ，VGS = 10 V，ID = 23 A。 最大RDS(on) = 5.2 mΩ，VGS = 4.5 V，ID = 18 A。 高性能技术，极低RDS(on)。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC降压转换器。 负载点
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS3D7N06HLTWG
- 商品编号
- C894101
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 103A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V；4.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.1nC@4.5V；32.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.383nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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