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NTTFS008P03P8Z
耐压:30V 电流:96A
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- 描述
- 特性：超低RDS(on)，提高系统效率。 采用3.3x3.3mm先进封装技术，节省空间并具有出色的热传导性能。 无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：功率负载开关保护：反向电流、过电压和反向负电压电池管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS008P03P8Z
- 商品编号
- C894097
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 96A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 134nC@10V；82nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.89nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.94nF |
商品特性
- 30 V BVDs，SC-70封装，低RDS(on)
- 低阈值电压
- 快速开关速度
- 无卤化物器件
- 无铅器件
应用领域
- 负载开关-低电流逆变器和DC-DC转换器-打印机、通信设备的电源开关
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