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NTTFS2D1N04HLTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
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- 描述
- 特性：最大RDS(on) = 2.1 mΩ，VGS = 10 V，ID = 23 A。 最大RDS(on) = 3.3 mΩ，VGS = 4.5 V，ID = 18 A。 高性能技术，极低的RDS(on)。 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：DC-DC降压转换器。 负载点
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS2D1N04HLTWG
- 商品编号
- C894100
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.745nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 23 A 条件下,最大 RDS(on) = 2.1 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 18 A 条件下,最大 RDS(on) = 3.3 mΩ
- 采用高性能技术实现极低的 RDS(on)
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-直流-直流降压转换器-负载点-高效负载开关和低端开关-或门 FET
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