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NTTFD2D8N03P1E
2个N沟道 耐压:30V 电流:16.1A 电流:80A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFD2D8N03P1E
- 商品编号
- C894094
- 商品封装
- WQFN-12(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A；16.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.04W；26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@10V；20.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF；1.521nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(3.3mm x 3.3mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-系统电压轨
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