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NTTFD022N10C
2个N沟道 耐压:100V 电流:24A 电流:6A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFD022N10C
- 商品编号
- C894093
- 商品封装
- WQFN-12(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 26W；1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双封装中集成了两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已进行内部连接,便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET(Q2)和同步MOSFET(Q1)经过设计,可实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 7.8 A时,最大rDS(on) = 25 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 3.9 A时,最大rDS(on) = 61 mΩ
- Q2:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 7.8 A时,最大rDS(on) = 25 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 3.9 A时,最大rDS(on) = 61 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点应用
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