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NTTFD022N10C

2个N沟道耐压:100V 电流:24A 电流:6A

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTTFD022N10C
商品编号: C894093
商品封装: WQFN-12(3.3x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.494克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET适用于各种AC/DC电源转换，有助于实现系统小型化和提高效率。 Power88封装是一种超薄表面贴装封装（高度为1 mm），外形低矮，占位面积小（8 x 8 mm²）。采用Power88封装的SUPERFET III MOSFET由于具有较低的寄生源极电感以及独立的电源和驱动源，可提供出色的开关性能。Power88封装的湿度敏感度等级为1级（MSL 1）。

商品特性

700 V @ TJ = 150°C
典型RDS(on) = 52 mΩ
超低栅极电荷（典型Qg = 82 nC）
低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 750 pF）
经过100%雪崩测试
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

电信/服务器电源-工业电源-不间断电源/太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	6A；24A
	导通电阻(RDS(on))	25mΩ@10V,7.8A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	26W；1.7W
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	9nC@10V
	输入电容(Ciss)	585pF@50V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)