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NTMYS4D6N04CLTWG实物图
  • NTMYS4D6N04CLTWG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMYS4D6N04CLTWG

1个N沟道 耐压:40V 电流:21A 电流:78A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMYS4D6N04CLTWG
商品编号
C894078
商品封装
LFPAK-4​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)78A;21A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V,35A
属性参数值
耗散功率(Pd)50W;3.6W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.3nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品特性

  • 小尺寸(5x6 mm),适用于紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
  • LFPAK4封装,行业标准
  • 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准

数据手册PDF