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NTS4173PT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.2A
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- 描述
- 这是一个 30 V P 沟道功率 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTS4173PT1G
- 商品编号
- C894090
- 商品封装
- SC-70-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@2.5V,0.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以降低驱动损耗
- LFPAK4封装，符合行业标准
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
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