温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTTFD018N08LC
2个N沟道 耐压:80V 电流:6A 26A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该器件在双封装中包含两个专门的N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的放置和布线。控制MOSFET (Q2) 和同步MOSFET (Q1) 旨在提供最佳电源效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFD018N08LC
- 商品编号
- C894091
- 商品封装
- WQFN-12(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.7W；26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 856pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- Q1:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 7.8 A时,最大rDS(on) = 18 m Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 6.2 A时,最大rDS(on) = 29 m Ω
- Q2:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 7.8 A时,最大rDS(on) = 18 m Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 6.2 A时,最大rDS(on) = 29 m Ω
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- 符合RoHS标准
应用领域
- 48 V输入初级半桥
- 通信
- 通用负载点
相似推荐
其他推荐