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NTTFD021N08C
2个N沟道 耐压:80V 电流:24A 电流:6A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFD021N08C
- 商品编号
- C894092
- 商品封装
- WQFN-12(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,7.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 26W；1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑型设计
- 低导通态漏源电阻（RDS(on)），可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷（QG）和电容，可将驱动损耗降至最低
- LFPAK8封装，符合行业标准
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
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