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NTR3C21NZT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.6A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽技术。 SOT-23封装下的超低RDS(on)。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：功率负载开关。 电源管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR3C21NZT1G
- 商品编号
- C894084
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 470mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMS8027S旨在最大限度降低功率转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的先进成果，在保持出色开关性能的同时，实现最低的漏源导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 先进沟槽技术
- SOT-23 封装超低 RDS(on)
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-电源负载开关-电源管理