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NTR4101PT1H
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
- 描述
- 特性：领先的 -20V 沟槽技术，实现低导通电阻。 -1.8V 额定电压，适用于低电压栅极驱动。 SOT-23 表面贴装，占用空间小。 NTRV 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：便携式设备的负载/电源管理。 计算机的负载/电源管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR4101PT1H
- 商品编号
- C894085
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 730mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 领先的 -20 V 沟槽工艺,实现低 RDS(on)
- 额定 -1.8 V,适用于低电压栅极驱动
- SOT-23 表面贴装,占用空间小
- NTRV 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准,可提供生产件批准程序 (PPAP) 文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR),符合 RoHS 标准
应用领域
-便携式设备的负载/电源管理-计算机的负载/电源管理-充电电路和电池保护