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NTMYS7D3N04CLTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:52A 电流:17A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMYS7D3N04CLTWG
- 商品编号
- C894081
- 商品封装
- LFPAK-4(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率，并最大限度减少开关节点振铃而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（rDS(on)）、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 栅源电压（VGS）= 10 V、漏极电流（ID）= 19 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 5.5 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 4.5 V、漏极电流（ID）= 15 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 7.6 mΩ
- 先进的封装和硅片设计，实现低漏源导通电阻（rDS(on)）和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，实现软恢复。在同步降压转换器应用中提供类似肖特基二极管的性能，并将电磁干扰降至最低
- MSL1可靠封装设计
- 经过100% UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑IMVP Vcore开关
- 台式机和服务器VRM Vcore开关
- 或门FET/负载开关
- DC-DC转换
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